最近，康奈爾大學(xué)的科學(xué)家利用改進(jìn)的家用微波爐突破了2納米半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的主要障礙這篇論文發(fā)表在《應(yīng)用物理快報(bào)》上

為了保持半導(dǎo)體技術(shù)的不斷縮小，硅必須摻雜越來越高的磷濃度，以促進(jìn)精確和穩(wěn)定的電流傳輸目前，伴隨著工業(yè)上3nm器件的大規(guī)模生產(chǎn)，傳統(tǒng)的退火方法仍然有效但伴隨著精度的進(jìn)一步提高，需要保證磷濃度高于其在硅中的平衡溶解度除了達(dá)到更高的濃度水平，一致性對(duì)于制造功能性半導(dǎo)體材料也是至關(guān)重要的

TSMC先前推測(cè)，微波可用于退火過程中，以促進(jìn)磷摻雜濃度的增加但以前的微波加熱源往往會(huì)產(chǎn)生駐波，不利于加熱的均勻性簡(jiǎn)單來說，之前的微波退火設(shè)備會(huì)對(duì)內(nèi)容物加熱不均勻

TSMC支持康乃爾大學(xué)的科學(xué)家進(jìn)行微波退火研究本周早些時(shí)候，康奈爾大學(xué)發(fā)表了一篇結(jié)果論文，科學(xué)家們得出結(jié)論，由于他們先進(jìn)的微波退火方法，他們已經(jīng)成功克服了高且穩(wěn)定的摻雜高于溶解度的基本挑戰(zhàn)

這篇論文的題目是通過微波退火有效且穩(wěn)定地激活摻雜磷超過其溶解度極限的納米片硅這項(xiàng)技術(shù)適用于最新的納米芯片晶體管技術(shù)，TSMC已經(jīng)表示將使用2納米芯片生產(chǎn)環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

這項(xiàng)研究將繼續(xù)進(jìn)行，并已獲得進(jìn)一步的資金。