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，據(jù) Tom's Hardware 報(bào)道，美光今日宣布其 HBM3 Gen 2 內(nèi)存正在向客戶提供樣品。

美光稱其 HBM3 Gen 2 內(nèi)存是世界上速度最快的，具有 1.2 TB / s 的聚合帶寬，8 高堆疊容量為 24GB。未來(lái)還有 12 高堆疊版本，容量可達(dá) 36GB。美光稱其新內(nèi)存是最節(jié)能的，與該公司上一代 HBM2E 相比，每瓦性能是上代的2.5 倍。

據(jù)報(bào)道，美光是第一個(gè)提供第二代 HBM3 內(nèi)存樣品的公司，超過(guò)了 SK 海力士和三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

命名方面，美光的 HMB3 Gen 2 內(nèi)存沒(méi)有按照美光之前的命名約定命名為“HBM3E”。美光表示，新的“Gen2”命名代表性能、容量和能效方面的代際飛躍。

美光公布了最新的內(nèi)存路線圖，圖中標(biāo)注了“HBMNext”內(nèi)存，推出的時(shí)間點(diǎn)為2026 年左右，容量可達(dá) 36-64GB，可提供 2+ TB / s 帶寬。

據(jù)介紹，美光的全新 HBM3 Gen 2 內(nèi)存采用八個(gè)堆疊芯片，與其他 8 高 HBM3 內(nèi)存相比，容量增加了 50%。此外，美光的新型內(nèi)存也適用于與標(biāo)準(zhǔn) HBM3 相同的 11mmx11mm 封裝，與現(xiàn)有 HBM3 引腳兼容，更換內(nèi)存也相對(duì)容易。

美光 HBM3 Gen 2 內(nèi)存 8 高堆棧的帶寬提高了 50%，每個(gè)引腳的傳輸速度為 9.2 Gbps，1024bit 位寬即可達(dá)到1.2 TB / s 的帶寬。

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