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ASML首席技術(shù)官馬丁·范登·布林克最近接受了bitsap奇普斯在接受采訪時(shí)表示，該公司目前正在有條不紊地實(shí)施其路線圖，其次是高NA EUV技術(shù)ASML正準(zhǔn)備向客戶交付第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)，這可能會(huì)在明年某個(gè)時(shí)候完成馬丁認(rèn)為這一目標(biāo)將會(huì)實(shí)現(xiàn)，盡管供應(yīng)鏈問題仍可能擾亂這一計(jì)劃

本站了解到NA叫數(shù)值孔徑，是光學(xué)鏡頭的一個(gè)重要指標(biāo)一般情況下，光刻機(jī)設(shè)備會(huì)明確標(biāo)出這個(gè)指標(biāo)的值當(dāng)光源波長(zhǎng)一定時(shí)，NA的大小直接決定了光刻機(jī)的實(shí)際分辨率，也決定了光刻機(jī)能達(dá)到的最高工藝節(jié)點(diǎn)高NA EUV是下一代光刻設(shè)備，與現(xiàn)有的EUV光刻設(shè)備相比，可以雕刻更精細(xì)的電路被認(rèn)為是改變游戲規(guī)則的設(shè)備，將決定3 nm以下OEM市場(chǎng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的勝負(fù)

Van den Brink說，到目前為止，開發(fā)高—高—NA技術(shù)的最大挑戰(zhàn)是為EUV光學(xué)建立計(jì)量工具高NA反射鏡的尺寸是其前身的兩倍，并且需要在20皮米內(nèi)保持平坦這需要在一個(gè)大到足以裝下半個(gè)公司的真空容器中進(jìn)行驗(yàn)證，這個(gè)容器位于蔡司公司

與現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)相比，高NA EUV光刻的功耗從1.5 MW增加到2 MW主要是因?yàn)楣庠吹脑?，高NA使用同樣的光源，需要額外0.5 MWASML也使用水冷銅線為其供電

至于高NA EUV技術(shù)后的技術(shù)方案，馬丁表示，ASML正在研究波長(zhǎng)縮減，但他個(gè)人不認(rèn)為Hyper—NA是可行的他們正在研究它，但這并不意味著它將投入生產(chǎn)懷疑馬丁高NA會(huì)是最后一個(gè)NA，目前的半導(dǎo)體光刻之路可能已經(jīng)走到盡頭

高NA EUV系統(tǒng)將提供0.55的數(shù)值孔徑與之前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度將得到提高，并且可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的構(gòu)圖，以實(shí)現(xiàn)更小的晶體管特征在Hyper—NA系統(tǒng)中會(huì)高于0.7甚至0.75，理論上可以做到技術(shù)上也可以做到但是如果超鈉的成本增長(zhǎng)和高鈉一樣快，那么它在經(jīng)濟(jì)上幾乎是不可行的因此，Hyper—NA研究項(xiàng)目的主要目標(biāo)是提出智能解決方案，以保持技術(shù)在成本和可制造性方面的可控性