據(jù)國外媒體報道，今年下半年正在推進(jìn)3納米制程技術(shù)量產(chǎn)的TSMC，在更先進(jìn)的2納米制程技術(shù)研發(fā)方面取得了重大進(jìn)展預(yù)計明年年中開始風(fēng)險試生產(chǎn)

風(fēng)險試產(chǎn)意味著TSMC的2nm工藝離量產(chǎn)又近了一步外媒在報道中還提到，經(jīng)過一年的風(fēng)險試生產(chǎn)，TSMC的工藝有望量產(chǎn)

外媒在報道中提到，如果在風(fēng)險試產(chǎn)時2nm工藝的良率達(dá)到90%，TSMC可以改進(jìn)這一工藝，并在2024年推廣量產(chǎn)。

TSMC正在推進(jìn)2納米制程技術(shù)，晶體管架構(gòu)將發(fā)生變化它不會使用鰭式場效應(yīng)晶體管，而是會采用全新的MBCFET架構(gòu)，也就是三星電子自3nm制程工藝以來一直采用的晶體管架構(gòu)他們在去年4月宣布，3納米工藝技術(shù)將采用多橋場效應(yīng)晶體管架構(gòu)設(shè)計